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本发明涉及功率模块封装技术领域，具体涉及一种氮化镓功率模块结构。包括，下散热器；下基板，设于所述下散热器上；氮化镓芯片，设于所述下基板上；垫块，设于所述下基板上，所述氮化镓芯片位于所述垫块的下方，所述氮化镓芯片的上表面与所述垫块的下表面电连...
该专利属于斯达半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过斯达半导体股份有限公司授权不得商用。

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