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本发明涉及一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片上进行蓝膜贴合，贴合后对硅片与蓝膜中心点的相对位置进行检测。第二步：通过检测硅片与蓝膜在A1、A2、A3和A4方向的中心位置的偏差，...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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