【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法。
技术介绍
1、蓝膜贴附腐蚀是晶圆端面处理去除二氧化硅方法的一种。其工作原理是根据去除二氧化硅的宽度，设计蓝膜直径，将蓝膜贴附在硅片表面，经过hf腐蚀，将蓝膜贴附以外区域的二氧化硅腐蚀掉。例如硅片直径300mm，若要求二氧化硅去除量为0.7mm，则蓝膜的直径设计为298.6mm。
2、蓝膜贴附时受机台端影响，在胶带拉扯蓝膜以及滚轴压碾蓝膜的作用下，蓝膜贴到晶圆表面时会产生形变变成椭圆形，导致进行hf腐蚀时去除量不均匀，全周不能均匀去除等量的距离，偏差较大。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其具有工艺便捷和质量稳定性好优点。解决了中心点不对齐以及蓝膜形变导致去除距边不均匀的问题。
2、本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，包括如下操
【技术保护点】
1.一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在A1方向距离较远时，在A3方向距离较近时，调整时将硅片（1）向A3方向移动或将蓝膜（2）向A1方向移动；当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在A2方向距离较远时，在A4方向距离较近时，调整时将硅片（1）向A4方向移动或将蓝膜（2）向A2方向移动。
3.根据权利要求1所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：通过在A1、A2、A3和A4方向上对...
【技术特征摘要】
1.一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在a1方向距离较远时，在a3方向距离较近时，调整时将硅片（1）向a3方向移动或将蓝膜（2）向a1方向移动；当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在a2方向距离较远时，在a4方向距离较近时，调整时将硅片（1）向a4方向移动或将蓝膜（2）向a2方向移动。
3.根据权利要求1所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：通过在a1、a2、a3和a4方向上对硅片（1）与蓝膜（2）边缘间进行分析，当a1＋a3＜a2＋a4时，蓝膜（2）在a1、a3方向发生拉伸形变，形状变成椭圆状。
4.根据权利要求3所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：当a2≠a4是由于硅片（1）与蓝膜（2）的中心点不对齐；当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在a2方向距离较远时，在a4方向距离较近时，调整时将硅片（1）向a4方向移动或将蓝膜（2）向a2方向移动；当蓝膜（2）中心与硅片（...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭建岳，赵祥峰，高洪涛，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。