【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法。
技术介绍
1、蓝膜贴附腐蚀是晶圆端面处理去除二氧化硅方法的一种。其工作原理是根据去除二氧化硅的宽度，设计蓝膜直径，将蓝膜贴附在硅片表面，经过hf腐蚀，将蓝膜贴附以外区域的二氧化硅腐蚀掉。例如硅片直径300mm，若要求二氧化硅去除量为0.7mm，则蓝膜的直径设计为298.6mm。
2、蓝膜贴附时受机台端影响，在胶带拉扯蓝膜以及滚轴压碾蓝膜的作用下，蓝膜贴到晶圆表面时会产生形变变成椭圆形，导致进行hf腐蚀时去除量不均匀，全周不能均匀去除等量的距离，偏差较大。
技术实现思路
1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其具有工艺便捷和质量稳定性好优点。解决了中心点不对齐以及蓝膜形变导致去除距边不均匀的问题。
2、本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
3、一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，包括如下操作步骤：
4、第一步：硅片上进行蓝膜贴合，贴合后对硅片与蓝膜中心点的相对位置进行检测。
5、第二步：通过检测硅片与蓝膜在a1、a2、a3和a4方向的中心位置的偏差，分别从a1-a3竖直方向和a2-a4水平方向的距离差值，对硅片或蓝膜的位置进行调整。
6、第三步：提高蓝膜与硅片中心点的相对位置后，蓝膜与硅片在贴膜机上进行压合。
7、第四步：根据蓝膜贴附
8、作为优选，当蓝膜中心与硅片中心在a1方向距离较远时，在a3方向距离较近时，调整时将硅片向a3方向移动或将蓝膜向a1方向移动；当蓝膜中心与硅片中心在a2方向距离较远时，在a4方向距离较近时，调整时将硅片向a4方向移动或将蓝膜向a2方向移动。
9、作为优选，通过在a1、a2、a3和a4方向上对硅片与蓝膜边缘间进行分析，当a1＋a3＜a2＋a4时，蓝膜在a1、a3方向发生拉伸形变，形状变成椭圆状。
10、作为优选，当a2≠a4是由于硅片与蓝膜的中心点不对齐；当蓝膜中心与硅片中心在a2方向距离较远时，在a4方向距离较近时，调整时将硅片向a4方向移动或将蓝膜向a2方向移动；当蓝膜中心与硅片中心在a4方向距离较远时，在a2方向距离较近时，调整时将硅片向a2方向移动或将蓝膜向a4方向移动。
11、作为优选，硅片的直径为300nm，蓝膜直径为298.72nm，以a1、a3方向为标准点进行分析计算，单边去除量通过1278.78÷2=639.39un。
12、作为优选，将a2、a4方向进行中心位置调整，均值达到理想状态通过1413.86÷2=706.93um，则在a2、a4方向单边型变量达到706.93-639.39=67.54um。
13、作为优选，在加工条件不变的情况下使蓝膜的贴附效果达到正圆，将蓝膜设计成椭圆形状，a1、a3方向胶带直径为297.72nm不变，当a2、a4方向直径增加为67.54×2=135.08um，即直径为297.72＋0.135=297.85nm，通过将蓝膜与硅片中心点的相对位置调正，达到正圆效果。
14、本专利技术能够达到如下效果：
15、本专利技术提供了一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，与现有技术相比较，具有工艺便捷和质量稳定性好优点。解决了中心点不对齐以及蓝膜形变导致去除距边不均匀的问题。通过机台端调整硅片或蓝膜位置，按照拉伸量设计椭圆蓝膜，达到设计去除二氧化硅去边的效果。
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1.一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在A1方向距离较远时，在A3方向距离较近时，调整时将硅片（1）向A3方向移动或将蓝膜（2）向A1方向移动；当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在A2方向距离较远时，在A4方向距离较近时，调整时将硅片（1）向A4方向移动或将蓝膜（2）向A2方向移动。
3.根据权利要求1所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：通过在A1、A2、A3和A4方向上对硅片（1）与蓝膜（2）边缘间进行分析，当A1＋A3＜A2＋A4时，蓝膜（2）在A1、A3方向发生拉伸形变，形状变成椭圆状。
4.根据权利要求3所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：当A2≠A4是由于硅片（1）与蓝膜（2）的中心点不对齐；当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在A2方向距离较远时，在A4方向距离较近时，调整时将硅片（1）向A4方向移动或将蓝膜（2）向A2方向移动；当蓝膜（2）
5.根据权利要求4所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：硅片（1）的直径为300nm，蓝膜（2）直径为298.72nm，以A1、A3方向为标准点进行分析计算，单边去除量通过1278.78÷2=639.39un。
6.根据权利要求5所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：将A2、A4方向进行中心位置调整，均值达到理想状态通过1413.86÷2=706.93um，则在A2、A4方向单边型变量达到706.93-639.39=67.54um。
7.根据权利要求5所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：在加工条件不变的情况下使蓝膜的贴附效果达到正圆，将蓝膜设计成椭圆形状，A1、A3方向胶带直径为297.72nm不变，当A2、A4方向直径增加为67.54×2=135.08um，即直径为297.72＋0.135=297.85nm，通过将蓝膜（2）与硅片（1）中心点的相对位置调正，达到正圆效果。
...【技术特征摘要】
1.一种提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：
2.根据权利要求1所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在a1方向距离较远时，在a3方向距离较近时，调整时将硅片（1）向a3方向移动或将蓝膜（2）向a1方向移动；当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在a2方向距离较远时，在a4方向距离较近时，调整时将硅片（1）向a4方向移动或将蓝膜（2）向a2方向移动。
3.根据权利要求1所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：通过在a1、a2、a3和a4方向上对硅片（1）与蓝膜（2）边缘间进行分析，当a1＋a3＜a2＋a4时，蓝膜（2）在a1、a3方向发生拉伸形变，形状变成椭圆状。
4.根据权利要求3所述的提高蓝膜去除二氧化硅均匀度的蓝膜工艺方法，其特征在于：当a2≠a4是由于硅片（1）与蓝膜（2）的中心点不对齐；当蓝膜（2）中心与硅片（1）中心在a2方向距离较远时，在a4方向距离较近时，调整时将硅片（1）向a4方向移动或将蓝膜（2）向a2方向移动；当蓝膜（2）中心与硅片（...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭建岳，赵祥峰，高洪涛，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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