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基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件制造技术
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下载基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件的技术资料
文档序号:42112892
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本技术公开了基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件,包括倒扣合拢安装的第一基板成板和第二基板成板,第一基板成板包括第一DBC基板以及安装于第一DBC基板上的第一栅极控制端子、第二栅极控制端子、第一铜层、第一MOSFET芯片、第一...
该专利属于浙江大学绍兴研究院所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学绍兴研究院授权不得商用。
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