基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件制造技术

本技术公开了基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件，包括倒扣合拢安装的第一基板成板和第二基板成板，第一基板成板包括第一DBC基板以及安装于第一DBC基板上的第一栅极控制端子、第二栅极控制端子、第一铜层、第一MOSFET芯片、第一IGBT芯片、第二IGBT芯片、第一反并联二极管和第二反并联二极管。本技术公开的基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件，用于解决现有单一器件的使用，无法满足对于电力电子装置更加苛刻的应用问题，且其通流能力强，散热性更好，可靠性更高。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于功率半导体器件，具体涉及一种基于igbt和mosfet混合并联的双面散热型器件。

技术介绍

1、绝缘栅双极性晶体管(igbt)由于结合了双极结型晶体管(bjt)和金属氧化物半导体结型场效应晶体管(mosfet)的大电流容量、低导通压降、低驱动功耗等优点被广泛应用于轨道交通、电力能源、航空航天等领域，其中si igbt就是较为成熟的器件。mosfet则因其输入电阻高、开关速度快、可控性强、噪声低、耐压等级高，低功耗等特点，被广泛应用于放大电路或开关电路等电力电子领域；而随着si材料达到其性能理论极限，si igbt逐渐不能满足高功率密度电力电子装置的要求。而sic由于其禁带宽度大、高饱和电子迁移率、高击穿电场和导热率大等优点逐渐在某些应用场景替代si基材料；sic mosfet就是结合sic和mosfet两者优点的成熟产物。

2、但是近年来，生产生活中，对电力电子装置的功率密度、功率容量、效率和可靠性等综合性能提出了更加苛刻的要求，单独使用si igbt、si mosfet及sic mosfet无法满足现实出提出的综合要求。因此si i本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件，其特征在于，包括倒扣合拢安装的第一基板成板和第二基板成板，其中：

2.根据权利要求1所述的一种基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件，其特征在于，第一反并联二极管与第一IGBT芯片并联，第二反并联二极管与第二IGBT芯片并联。

3.根据权利要求2所述的一种基于IGBT和MOSFET混合并联的双面散热型器件，其特征在于，第三反并联二极管与第三IGBT芯片并联，第四反并联二极管与第四IGBT芯片并联。

【技术特征摘要】

1.一种基于igbt和mosfet混合并联的双面散热型器件，其特征在于，包括倒扣合拢安装的第一基板成板和第二基板成板，其中：

2.根据权利要求1所述的一种基于igbt和mosfet混合并联的双面散热型器件，其特征在于，第一反并联二极管与...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡建力，黄佳滨，郭清，张斌，
申请(专利权)人：浙江大学绍兴研究院，
类型：新型
国别省市：