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本发明公开了一种深紫外LED芯片的封装结构和封装方法，属于半导体封装技术领域，所述封装结构中基板组件包括基板本体、焊盘和围坝；焊盘位于基板本体上表面的中间区域；围坝位于基板本体上表面的外围且周向分布于焊盘，在远离焊盘一侧具有带台阶凹槽；围坝...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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