一种深紫外LED芯片的封装结构和封装方法技术

本发明专利技术公开了一种深紫外LED芯片的封装结构和封装方法，属于半导体封装技术领域，所述封装结构中基板组件包括基板本体、焊盘和围坝；焊盘位于基板本体上表面的中间区域；围坝位于基板本体上表面的外围且周向分布于焊盘，在远离焊盘一侧具有带台阶凹槽；围坝一侧最高点经焊盘到围坝另一侧的最高点覆盖的区域构成凹槽空间，凹槽空间内壁除预设位置以外沉积有反射膜，芯片组件贴装于预设位置上；透镜盖板组件包括：一体设计的玻璃透镜和其周围的金属支架，不需要焊接治具通过改变围坝外侧形状，金属支架可以嵌入围坝台阶凹槽中实现定位；相应的玻璃透镜宽度可以变大，有利于LED出光，同时焊接过程中产生的金属颗粒无法溅射到腔体内部，保护了芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体封装，更具体地，涉及一种深紫外led芯片的封装结构和封装方法。

技术介绍

1、深紫外led具有无汞污染、体积小、寿命长、波长可调等优点，被视为新一代深紫外光源。深紫外led可用于照明、消毒、医疗、印刷、存储和通信等领域。目前，出于封装工艺复杂性和成本的考虑，低功率深紫外led通常采用有机封装和半无机封装。然而，随着深紫外led输出功率的不断提高，由于有机材料的紫外降解和热老化，这些传统封装方式难以满足深紫外led长期稳定运行的需求。

2、首先，现有技术中的深紫外led封装结构及其封装方法,往往采用锡膏实现玻璃盖板可伐环与围坝凹槽无机气密性焊接；但焊接过程需要对焊接对象整体加热，对芯片和芯片固晶层热冲击较大。其次，现有技术中采用脉冲形式输出的激光实现金属框与碗杯的焊接，但其没有考虑焊接过程产生的金属飞溅物对芯片影响。

技术实现思路

1、针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本专利技术提供了一种深紫外led芯片的封装结构和封装方法，其目的在于，在基板组件外侧的围坝上形成内侧具有一定高度本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种深紫外LED芯片的封装结构，其特征在于，包括：基板组件、芯片组件、反射膜和透镜盖板组件；

2.如权利要求1所述的深紫外LED芯片的封装结构，其特征在于，所述围坝靠近所述焊盘的一侧为具有一定角度的斜面结构，以使所述凹槽空间内壁的侧面均为向外延伸的斜边。

3.如权利要求1所述的深紫外LED芯片的封装结构，其特征在于，所述玻璃透镜为平面型或半球型石英或蓝宝石材料。

4.如权利要求1所述的深紫外LED芯片的封装结构，其特征在于，所述反射膜材料为铝和氟化镁。

5.一种深紫外LED芯片的封装方法，其特征在于，用于制备所述权利要求1-4任一项所述...

【技术特征摘要】

1.一种深紫外led芯片的封装结构，其特征在于，包括：基板组件、芯片组件、反射膜和透镜盖板组件；

2.如权利要求1所述的深紫外led芯片的封装结构，其特征在于，所述围坝靠近所述焊盘的一侧为具有一定角度的斜面结构，以使所述凹槽空间内壁的侧面均为向外延伸的斜边。

3.如权利要求1所述的深紫外led芯片的封装结构，其特征在于，所述玻璃透镜为平面型或半球型石英或蓝宝石材料。

4.如权利要求1所述的深紫外led芯片的封装结构，其特征在于，所述反射膜材料为铝和氟化镁。

5.一种深紫外led芯片的封装方法，其特征在于，用于制备所述权利要求1-4任一项所述的深紫外led芯片的封装结构，包括：

6.如权利要求5所述的深紫外led芯片的封装方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭洋，罗霖，赵九洲，戴江南，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：