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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种低电压蠕变的P型沟槽栅MOS器件，该器件包括：P型衬底、P型外延层、元胞区和环绕所述元胞区的终端区；所述P型外延层位于所述P型衬底之上；所述元胞区和所述终端区位于所述P型外延层上，所述元胞区的N型阱区延...
该专利属于深圳云潼微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳云潼微电子科技有限公司授权不得商用。

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