一种低电压蠕变的P型沟槽栅MOS器件及制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种低电压蠕变的P型沟槽栅MOS器件，该器件包括：P型衬底、P型外延层、元胞区和环绕所述元胞区的终端区；所述P型外延层位于所述P型衬底之上；所述元胞区和所述终端区位于所述P型外延层上，所述元胞区的N型阱区延长接触至所述终端区的指定的终端沟槽，所述指定的终端沟槽为与所述元胞区相邻的终端沟槽；其中，在所述元胞区与所述终端区之间的指定区域中，按照从所述元胞区至所述终端区的方向，所述指定区域中的N型阱区的掺杂浓度随着所述指定区域对应的N型阱区掩膜版的开口宽度增加而增加。通过该器件，改善P型沟槽栅MOS器件的电压蠕变现象，提高器件的耐压能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种低电压蠕变的p型沟槽栅mos器件及制造方法。

技术介绍

1、沟槽栅mosfet（metal oxide semiconductor field-effect transistor，金氧半场效晶体管，简称mos）器件作为一种新型功率半导体器件，具有较高的开关速度和较低的导通电阻，被广泛应用于高压、高频、高功率密度等领域。常规的p型沟槽栅mos器件的元胞区及终端区主要依靠n型阱区和沟槽耐压，最终的耐压能力取决于元胞区与终端区之间的较小值。常规的p型沟槽栅mos器件的耐压薄弱点通常位于终端区，即终端区的耐压仅为元胞区的耐压的80%~90%。因此，优化终端区的耐压变得尤为重要。

2、沟槽栅mos器件的常见优化设计是增大终端区的沟槽宽度，以保证在同等耐压的情况下，缩小终端区的面积，提高器件的整体效率。由于n型沟槽栅mos器件的电压蠕变为正向，则鲜有人关注n型沟槽栅mos器件的电压蠕变。并且这个优化方法在n型沟槽栅mos器件中广泛应用。然而，p型沟槽栅mos器件的电压蠕变是负向的，并这种优化方式会加重p型沟槽栅mos器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低电压蠕变的P型沟槽栅MOS器件，其特征在于，包括：P型衬底、P型外延层、元胞区和环绕所述元胞区的终端区；

2.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述指定区域中的N型阱区的获取方法，包括：

3.如权利要求2所述的MOS器件，其特征在于，所述元胞区包括：n个元胞沟槽、n+1个电极区、所述N型阱区、P+接触区和元胞区介质层，n为大于3的正整数；

4.如权利要求3所述的MOS器件，其特征在于，每个所述元胞沟槽均包括元胞凹槽、元胞内介质层和元胞外介质层；

5.如权利要求3所述的MOS器件，其特征在于，每个所述电极区包括：接触孔、接触...

【技术特征摘要】

1.一种低电压蠕变的p型沟槽栅mos器件，其特征在于，包括：p型衬底、p型外延层、元胞区和环绕所述元胞区的终端区；

2.如权利要求1所述的mos器件，其特征在于，所述指定区域中的n型阱区的获取方法，包括：

3.如权利要求2所述的mos器件，其特征在于，所述元胞区包括：n个元胞沟槽、n+1个电极区、所述n型阱区、p+接触区和元胞区介质层，n为大于3的正整数；

4.如权利要求3所述的mos器件，其特征在于，每个所述元胞沟槽均包括元胞凹槽、元胞内介质层和元胞外介质层；

5.如权利要求3所述的mos器件，其特征在于，每个所述电极区包括：接触孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡政坤，廖光朝，
申请(专利权)人：深圳云潼微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：