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一种减少含氟碳化合物气体排放的干蚀刻方法技术
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文档序号:42100121
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本发明提供一种干蚀刻方法。该方法包括供应一第一气体至一反应室,以调节与反应室有关的一工艺参数。方法也包括供应一第二气体至反应室,并开启一电源,使得第二气体离子化而产生一电浆。方法进一步包括利用电浆移除一基板上的一材料层的一部分。第一气体的一...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。
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