一种减少含氟碳化合物气体排放的干蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种干蚀刻方法。该方法包括供应一第一气体至一反应室，以调节与反应室有关的一工艺参数。方法也包括供应一第二气体至反应室，并开启一电源，使得第二气体离子化而产生一电浆。方法进一步包括利用电浆移除一基板上的一材料层的一部分。第一气体的一成分与第二气体的一成分不同。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于干蚀刻工艺。

技术介绍

1、干蚀刻工艺经离子化的蚀刻气体(电浆(plasma))引起化学反应，以移除基板上的材料层。常见的蚀刻气体包括含碳化合物、含卤素化合物、含氟化合物(fluorinatedcompounds)、氟碳化合物(perfluorinated compounds，pfcs)等。常见的蚀刻气体通常属于温室气体，且具有相对大的二氧化碳当量(co2e，carbon dioxide equivalent)，这代表常见的蚀刻气体对地球暖化的影响程度比二氧化碳更严重。因此，希望降低干蚀刻工艺中属于温室气体的蚀刻气体的使用量，以降低碳排放，并有助于减缓温室效应以及达成碳中和(carbon neutral)的目的。

技术实现思路

1、本专利技术的一些实施例提供一种干蚀刻方法。方法包括供应一第一气体至一反应室，以调节与反应室有关的一工艺参数。方法也包括供应一第二气体至反应室，并开启一电源，使得第二气体离子化而产生一电浆。方法进一步包括利用电浆移除一基板上的一材料层的一部分。第一气体的一成分与第二气本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种干蚀刻方法，用于减少含氟碳化合物气体排放，包括：

2.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体的一温室气体含量低于所述第二气体的一温室气体含量。

3.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体不包括氟。

4.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体不包括氟碳化合物。

5.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体由惰性气体组成。

6.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体由氩气组成。

7.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体的一气体流量与所述第二气体的一气体流量相同。

8...

【技术特征摘要】

1.一种干蚀刻方法，用于减少含氟碳化合物气体排放，包括：

2.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体的一温室气体含量低于所述第二气体的一温室气体含量。

3.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体不包括氟。

4.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体不包括氟碳化合物。

5.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体由惰性气体组成。

6.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体由氩气组成。

7.如权利要求1的干蚀刻方法，其中，所述第一气体的一气体流量与所述第二气体的一气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏远豪，王春杰，欧阳自明，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：