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一种用以增强存储单元阵列容量和密度的亚阈值敏感放大电路，设有五个ＰＭＯＳ管Ｐ１～Ｐ５及六个ＮＭＯＳ管Ｎ１～Ｎ６，ＰＭＯＳ管Ｐ１源端接电源，漏端与Ｐ４、Ｐ５的源端相连，ＰＭＯＳ管Ｐ２源端接电源，漏端与Ｐ４的栅端、ＮＭＯＳ管Ｎ１的漏端连接于位线...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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