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本发明提出了一种超稳定性气体电子倍增器(GEM)镀膜方法及工艺该方法以氧化锆(ZrO2)为基材，采用化学气相沉积(CVD)技术镀覆富硼碳化硼(<supgt;10</supgt;B<subgt;4</subgt;C)薄...
该专利属于南京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京航空航天大学授权不得商用。

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