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本申请公开了一种电子元件及电子设备，涉及半导体技术领域。该电子元件包括设置在同一基底上的横向电场激励谐振器以及纵向电场激励谐振器；其中，所述横向电场激励谐振器的压电层和所述纵向电场激励谐振器的压电层为铌酸锂单晶压电薄膜，或者所述横向电场激励...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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