【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种半导体，具体涉及一种电子元件及电子设备。
技术介绍
1、随着5g通信技术的日益发展，对数据传输速率的要求越来越高。与数据传输速率相对应的是频谱资源的高利用率和频谱的复杂化。通信协议的复杂化对于射频系统的各种性能提出了严格的要求，在射频前端模块，射频滤波器起着至关重要的作用，它可以将带外干扰和噪声滤除掉以满足射频系统和通信协议对于信噪比的要求。
2、对于传统滤波器，形成滤波器的多个谐振器均为横向电场激励谐振器，或均为纵向电场激励谐振器，且分别位于独立的芯片上，通过各自的晶圆独立加工而成。而将横向电场激励谐振器和纵向电场激励谐振器同时制造在一个芯片上，有利于提高滤波器设计自由度，从而获得更优性能的滤波器，同时可以减小芯片尺寸。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的上述问题的至少之一，本申请实施例提供一种电子元件及电子设备。
2、根据本申请实施例的第一方面，本申请提供一种电子元件，包括设置在同一基底上的横向电场激励谐振器以及纵向电场激励谐振器，各谐振器...
【技术保护点】
1.一种电子元件，其特征在于，包括设置在同一基底上的横向电场激励谐振器以及纵向电场激励谐振器；其中，
2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述横向电场激励谐振器的压电层的晶体取向和所述纵向电场激励谐振器的压电层的晶体取向相同。
3.根据权利要求2所述的电子元件，其特征在于，所述横向电场激励谐振器和所述纵向电场激励谐振器共用一压电层薄膜。
4.根据权利要求2所述的电子元件，其特征在于，在所述压电层为铌酸锂单晶压电薄膜时，所述横向电场激励谐振器和纵向电场激励谐振器工作模态所使用的压电耦合系数均大于25％；或
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种电子元件，其特征在于，包括设置在同一基底上的横向电场激励谐振器以及纵向电场激励谐振器；其中，
2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，所述横向电场激励谐振器的压电层的晶体取向和所述纵向电场激励谐振器的压电层的晶体取向相同。
3.根据权利要求2所述的电子元件，其特征在于，所述横向电场激励谐振器和所述纵向电场激励谐振器共用一压电层薄膜。
4.根据权利要求2所述的电子元件，其特征在于，在所述压电层为铌酸锂单晶压电薄膜时，所述横向电场激励谐振器和纵向电场激励谐振器工作模态所使用的压电耦合系数均大于25％；或
5.根据权利要求4所述的电子元件，其特征在于，在所述压电层为铌酸锂单晶压电薄膜时，所述铌酸锂单晶压电薄膜具有欧拉角为(90°，90°，18°～45°)的晶体取向。
6.根据权利要求5所述的电子元件，其特征在于，所述铌酸锂单晶压电薄膜具有欧拉角为(90°，90°，26°～36°)的晶体取向。
7.根据权利要求5或6所述的电子元件，其特征在于，所述横向电场激励谐振器工作在零阶对称兰姆波模式，所述纵向电场激励谐振器工作在厚度方向剪切模式。
8.根据权利要求4所述的电子元件，其特征在于，所述铌酸锂单晶压电薄膜具有欧拉角为(90°，90°，0°～15°)、(90°，90°，160°～180°)或(0°，70°～105°，0°)的晶体取向；或
9.根据权利要求8所述的电子元件，其特征在于，所述横向电场激励谐振器工作在零阶水平剪切模式，所述纵向电场激励谐振器工作在厚度方向剪切模式。
10.根据权利要求4所述的电子元件，其特征在于，所述铌酸锂单晶压电薄膜具有欧拉角为(0°，57°～87°，0°)的晶体取向；或
11.根据权利要求10所述的电子元件，其特征在于，所述横向电场激励谐振器工作在一阶反对称兰姆波模式，所述纵向电场激励谐振器工作在厚度方向剪切模式。
12.根据权利要求4所述的电子元件，其特征在于，所述铌酸锂单晶压电薄膜具有欧拉角为(0°，108°～135°，0°)的晶体取向。
13.根据权利要求12所述的电子元件，其特征在于，所述铌酸锂单晶压电薄膜具有欧拉角为(0°，116°～126°，0°)的晶体取向。
14.根据权利要求12或13所述的电子元件，其特征在于，所述横向电场激励谐振器工作在零阶水平剪切模式，所述纵向电场激励谐振器工作在厚度方向伸缩模式。
15.根据权利要求1至6以及8至13中任一项所述的电子元件，其特征在于，每个所述谐振器的压电层的厚度相同。
16.根据权利要求1至6以及8至13中任一项所述的电子元件，其特征在于，所述横向电场激励谐振器的压电层的厚度与所述...
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