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本发明提供一种氧化镓器件及其制备方法，该器件包括：肖特基器件、绝缘高导热叠层以及散热基板；肖特基器件包括：衬底、外延层、介质层、肖特基接触金属层、欧姆接触金属层以及电极引脚；绝缘高导热叠层设置于电极引脚的两侧；散热基板通过焊盘与肖特基器件中...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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