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本发明公开了一种具有自旋极化空穴层的氮化镓基半导体激光元件，从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、上限制层和自旋极化空穴层；其中，所述自旋极化空穴层位于所述上波导层和所述上限制层之间；其中，所述自旋极化空穴层的电子有...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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