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本申请涉及一种真空全压力与漏率综合校准影响因素测量装置及方法，包括：真空漏孔、静态膨胀系统、第一电容薄膜真空计、第二电容薄膜真空计、第一温度控制系统、第二温度控制系统、第三温度控制系统、多个真空阀门、充气系统、材料测试系统、质谱计、质谱室、...
该专利属于兰州空间技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过兰州空间技术物理研究所授权不得商用。

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