【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及测量，更为具体来说，本专利技术涉及一种真空全压力与漏率综合校准影响因素测量装置及方法。
技术介绍
1、一种真空全压力与漏率综合校准影响因素测量装置及方法主要应用于空间计量等新领域，目前在空间领域中真空计量、真空检漏、空间科学试验研究等
得到广发的应用，继续对空间真空计量进行研究具有重要的发展意义。由于空间的设备功能复杂、参数众多、继承度高，传统的单参数校准无法完整评价其技术性能，因此提出了真空全压力与真空漏率综合计量校准需求，但是综合真空计量情况非常复杂，特别是下限的延伸十分困难，因此需要对真空度、真空漏率综合校准室时的影响因素进行研究并逐一排查，目前还没有该方面专门的研究。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种真空全压力与漏率综合校准影响因素测量装置及方法。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明
【技术保护点】
1.一种真空全压力与漏率综合校准影响因素测量装置，其特征在于，包括：真空漏孔、静态膨胀系统、第一电容薄膜真空计、第二电容薄膜真空计、第一温度控制系统、第二温度控制系统、第三温度控制系统、多个真空阀门、充气系统、材料测试系统、质谱计、质谱室、抽气系统，其中：
2.根据权利要求1所述的真空全压力与漏率综合校准影响因素测量装置，其特征在于，还包括真空计，所述真空计通过第一真空阀门与所述测量装置连接，用于测量所述充气系统为所述测量装置提供的气体的压力。
3.根据权利要求2所述的真空全压力与漏率综合校准影响因素测量装置，其特征在于，还包括数字压力计，所述...
【技术特征摘要】
1.一种真空全压力与漏率综合校准影响因素测量装置，其特征在于，包括：真空漏孔、静态膨胀系统、第一电容薄膜真空计、第二电容薄膜真空计、第一温度控制系统、第二温度控制系统、第三温度控制系统、多个真空阀门、充气系统、材料测试系统、质谱计、质谱室、抽气系统，其中：
2.根据权利要求1所述的真空全压力与漏率综合校准影响因素测量装置，其特征在于，还包括真空计，所述真空计通过第一真空阀门与所述测量装置连接，用于测量所述充气系统为所述测量装置提供的气体的压力。
3.根据权利要求2所述的真空全压力与漏率综合校准影响因素测量装置，其特征在于，还包括数字压力计，所述数字压力计与所述真空漏孔连接，在进行温度变化对真空全压力校准影响的测量时采用所述数字压力计作为主标准器，进行电容薄膜真空计的校准。
4.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：张瑞芳，成永军，董猛，赵澜，孙雯君，李棉峰，高洁，丁栋，
申请(专利权)人：兰州空间技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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