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本公开内容提供了一种存储器设备，其包括具有在第一方向上堆叠的功能层级的膜堆叠体。每个功能层级包括第一电介质层和导电层。存储器设备还包括设置在阵列核心区域中的沟道结构，其中，每个沟道结构在第一方向上延伸穿过膜堆叠体。每个沟道结构包括在中心的控...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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