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一种提高栅氧可靠性的沟槽型SiC MOSFET及其制备方法，涉半导体技术领域。本发明采用互联双沟槽结构，第一沟槽深度大，电场线会优先集中在第一沟槽底部和拐角处，且第一沟槽内部隔离介质可以承受更大的电场强度，第二沟槽深度小于第一沟槽，第二沟槽...
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