一种提高栅氧可靠性的沟槽型SiC MOSFET及其制备方法技术

一种提高栅氧可靠性的沟槽型SiC MOSFET及其制备方法，涉半导体技术领域。本发明专利技术采用互联双沟槽结构，第一沟槽深度大，电场线会优先集中在第一沟槽底部和拐角处，且第一沟槽内部隔离介质可以承受更大的电场强度，第二沟槽深度小于第一沟槽，第二沟槽远离第一沟槽的一侧设有多晶硅和栅氧，与P+沟道层接触形成导电沟道，本发明专利技术第二沟槽导电侧面起导电沟道作用，第一沟槽起缓解第二沟槽导电侧面底部和拐角处电场强度的作用，对比传统结构的沟槽型SiC MOSFET，相同工艺条件下，本发明专利技术制备的一种提高栅氧可靠性的沟槽型SiC MOSFET，耐压提高了20%‑50%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉半导体，尤其涉及一种提高栅氧可靠性的沟槽型sic mosfet及其制备方法。

技术介绍

1、在电力电子器件
，随着技术的发展，传统的si功率器件，受限于si材料的特性，已经接近理论性能极限，在此背景下，临界击穿场强更高、散热效果更好的第三代半导体sic越来越受到人们的重视。

2、sic mosfet作为新型功率半导体器件，具有功率密度大、散热性能好等优点，目前正在逐步替代sjmosfet、igbt的部分市场，由于sic的临界击穿场强约是si的10倍，关态条件下栅氧承受约三分之一的sic体材料场强，因此在实际工作环境，器件在承受脉冲电压尖峰时，栅氧容易因为高场强而击穿，导致器件失效，特别是沟槽型sic mosfet，沟槽底部和拐角处更容易产生电场集中而击穿，因此提高栅氧可靠性是沟槽型sicmosfet最关键的技术难题之一。

技术实现思路

1、本专利技术针对以上问题，提供了一种提高栅氧可靠性的沟槽型sic mosfet及其制备方法。

2、本专利技术的技术方案是：

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【技术保护点】

1.一种提高栅氧可靠性的沟槽型SiC MOSFET制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种提高栅氧可靠性的沟槽型SiC MOSFET制备方法，其特征在于，步骤S100包括：

3.根据权利要求1所述的一种提高栅氧可靠性的沟槽型SiC MOSFET制备方法，其特征在于，步骤S200包括：

4.根据权利要求1所述的一种提高栅氧可靠性的沟槽型SiC MOSFET制备方法，其特征在于，步骤S300包括：

5.根据权利要求1所述的一种提高栅氧可靠性的沟槽型SiC MOSFET制备方法，其特征在于，步骤S400包括：

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【技术特征摘要】

1.一种提高栅氧可靠性的沟槽型sic mosfet制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种提高栅氧可靠性的沟槽型sic mosfet制备方法，其特征在于，步骤s100包括：

3.根据权利要求1所述的一种提高栅氧可靠性的沟槽型sic mosfet制备方法，其特征在于，步骤s200包括：

4.根据权利要求1所述的一种提高栅氧可靠性的沟槽型sic mosfet制备方法，其特征在于，步骤s300包括：

5.根据权利要求1所述的一种提高栅氧可靠性的沟槽型sic mosfet制备方法，其特征在于，步骤s400包括：

6.根据权利要求1所述的一种提高栅氧可靠性的沟槽型sic mosfet制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：代书雨，马倩倩，周理明，王毅，
申请(专利权)人：扬州扬杰电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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