专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
武汉理工大学
>
一种基于F-P谐振腔结构的VO2自适应辐射冷却装置及其制备方法制造方法及图纸
>技术资料下载
下载一种基于F-P谐振腔结构的VO2自适应辐射冷却装置及其制备方法的技术资料
文档序号:42072637
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开一种基于F‑P谐振腔结构的二氧化钒自适应辐射冷却装置及其制备方法,属于被动辐射降温技术领域,装置包括动态辐射冷却器和间隔设置于所述动态辐射冷却器上方的太阳反射器,所述动态辐射冷却器包括自上而下依次叠加设置的VO<subgt;...
该专利属于武汉理工大学所有,仅供学习研究参考,未经过武汉理工大学授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。