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本申请的实施例提供了一种晶体管、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，该晶体管的沟道迁移率有所提高，进而使得该晶体管的性能较好。该晶体管包括：衬底；设置于衬底上的鳍型沟道；沿第一方向设置于鳍型沟道两端的源区与漏区；沿第二方向设置于鳍型沟...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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