晶体管、集成电路以及电子设备制造技术

本申请的实施例提供了一种晶体管、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，该晶体管的沟道迁移率有所提高，进而使得该晶体管的性能较好。该晶体管包括：衬底；设置于衬底上的鳍型沟道；沿第一方向设置于鳍型沟道两端的源区与漏区；沿第二方向设置于鳍型沟道上的栅极，第一方向与第二方向交叉，第一方向和第二方向均平行于衬底；衬底中还包括注入区，鳍型沟道在衬底上的投影与注入区存在交叠，注入区的晶格结构与衬底的其他区域的晶格结构不同，其中，晶体管为N型，注入区的晶格尺寸大于衬底的其他区域的晶格尺寸，或者，晶体管为P型，注入区的晶格尺寸小于衬底的其他区域的晶格尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其是涉及一种晶体管、集成电路以及电子设备。

技术介绍

1、随着现代电子产业的发展，集成电路的设计目标向着小尺寸的方向发展，集成电路的尺寸变小取决于集成电路中的晶体管的尺寸变小。其中，鳍式场效应晶体管(finfield effect transistor,finfet)由于具有尺寸小且性能稳定的特点，进而被广泛地应用于小尺寸的集成电路的设计中。

2、其中，finfet的沟道为凸起的鳍状结构，也被称为鳍型沟道，沿第一方向在鳍型沟道的两端分别设置有源区和漏区，源区连接金属形成finfet的源极，漏区连接金属形成finfet的漏极，栅极设置于鳍型沟道上且栅极沿第二方向延伸，第一方向与第二方向交叉，其中，栅极覆盖鳍型沟道的两侧以及鳍型沟道的顶端，finfet的栅极对鳍型沟道的控制作用较强。但是，finfet的鳍型沟道的沟道迁移率有限，进而使得finfet的性能受到影响。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供了一种晶体管、集成电路以及电子设备，该晶体管包括鳍式场效应晶体管(fin fiel本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述注入区包含第一原子，所述衬底的其他区域包含第二原子，所述晶体管为N型，所述第一原子的半径大于所述第二原子的半径，或者，所述晶体管为P型，所述第一原子的半径小于所述第二原子的半径。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管为P型，所述第一原子包括以下一项或多项：碳、氟、氮。

4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶体管，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述注入区还包括...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述注入区包含第一原子，所述衬底的其他区域包含第二原子，所述晶体管为n型，所述第一原子的半径大于所述第二原子的半径，或者，所述晶体管为p型，所述第一原子的半径小于所述第二原子的半径。

3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述晶体管为p型，所述第一原子包括以下一项或多项：碳、氟、氮。

4.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，

5.根据权利要求1-4任一项所述的晶体管，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的晶体管，其特征在于，所述注入区还包括第三原子，所述第三原子包括以下一项或多项：碳、氟、氮。

7.根据权利要求6所述的晶体管，其特征在于，

8.根据权利要求2-7任一项所述的晶体管，其特征在于，

9.根据权利要求2-8任一项所述的晶体管，其特征在于，

10.根据权利要求1-9任一项所述的晶体管，其特征在于，所述源区在所述衬底上的投影与所述注入区存在交叠，和/或，所述漏区在所述衬底上的投影与所述注入区存在交叠。

11.一种集成电路，其特征在于，所述集成电路包括封装结构以及一个或多个如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：张露，温雅楠，黄元琪，丁泊宁，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：