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一种选择读取后无回写过程的铁电存储器电路、方法及装置，涉及电路设计领域。本发明主要思想为通过消除读取后的回写过程来降低FRAM的读取功耗同时提高FRAM的寿命，虽然读取后不进行回写会导致存储的数据遭到破坏，但如果该数据只需要被读取一次，那么...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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