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本发明提供一种应用于改善多晶硅沉积硅衬底抛光后存在缺陷的工艺，此工艺的主要流程如下：对已经完成多晶硅沉积的硅晶片，使用RCA清洗机进行清洗工序；对已清洗的硅晶片依照以下工艺流程进行：滴蜡→烘烤→贴片→冷却→下片→清洗，完成上述流程后，得到的...
该专利属于昆山中辰矽晶有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山中辰矽晶有限公司授权不得商用。

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