一种应用于改善多晶硅沉积硅衬底抛光后存在缺陷的工艺制造技术

本发明专利技术提供一种应用于改善多晶硅沉积硅衬底抛光后存在缺陷的工艺，此工艺的主要流程如下：对已经完成多晶硅沉积的硅晶片，使用RCA清洗机进行清洗工序；对已清洗的硅晶片依照以下工艺流程进行：滴蜡→烘烤→贴片→冷却→下片→清洗，完成上述流程后，得到的硅晶片，进行抛光，得到抛光后的硅晶片。本发明专利技术可以改善因现有技术的不足，导致多晶硅沉积硅衬底抛光后存在缺陷的问题，从而解决多晶硅沉积硅衬底抛光后存在缺陷的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种应用于改善多晶硅沉积硅衬底抛光后存在缺陷的工艺。

技术介绍

1、为了减少微缺陷对硅片表面质量影响或防止硅外延工艺过程中“重掺杂”硅片的自掺杂作用，根据ic工艺要求，对硅片背面表面需进行“背表面”处理。

2、根据ic工艺要求，一般对“重掺杂”的硅片，要求硅片背面生长二氧化硅膜。而对“轻掺杂”硅片，则要求硅片背面生长多晶硅膜，以起到外吸杂的作用。通过称该工艺为“lpcvd”(多晶硅沉积)。

3、一般的lpcvd(多晶硅沉积)工艺可以对硅衬底背表面进行生长多晶硅增强吸除技术处理，能使硅片背表面生长多晶硅膜和二氧化硅膜的质量符合ic工艺要求，其生长的膜厚均匀性较为理想。但横向生长时，会使用到石英晶舟，硅片与晶舟接触的位置会留下印记。在后续的抛光工艺中会显现出来，从而导致硅片存在平坦度缺陷的问题。

技术实现思路

1、为了改善上述情况，本专利技术的目的在于提供一种应用于改善多晶硅沉积硅衬底抛光后存在缺陷的工艺，改善因现有技术的不足，无法满足背面长多晶硅的硅衬底抛光缺陷的问题，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.本专利技术提供一种应用于改善多晶硅沉积硅衬底抛光后存在缺陷的工艺，其特征在于，所述工艺的主要流程如下：

2.如权利要求1所述的一种应用于改善背面长多晶硅的硅衬底抛光缺陷的多晶硅沉积工艺，其特征在于，所述滴蜡流程中，使用的蜡，松香比例为30％～45％，滴蜡量为0.6～1.2ml，滴蜡完成后，旋片甩蜡转速为2000rpm～3000rpm。

3.如权利要求所述的一种应用于改善背面长多晶硅的硅衬底抛光缺陷的多晶硅沉积工艺，其特征在于，所述烘烤流程中，硅晶片烘烤温度为150-215℃，烘烤时间为5-10s。

4.如权利要求所述的一种应用于改善背面长多晶硅的硅...

【技术特征摘要】

1.本发明提供一种应用于改善多晶硅沉积硅衬底抛光后存在缺陷的工艺，其特征在于，所述工艺的主要流程如下：

2.如权利要求1所述的一种应用于改善背面长多晶硅的硅衬底抛光缺陷的多晶硅沉积工艺，其特征在于，所述滴蜡流程中，使用的蜡，松香比例为30％～45％，滴蜡量为0.6～1.2ml，滴蜡完成后，旋片甩蜡转速为2000rpm～3000rpm。

3.如权利要求所述的一种应用于改善背面长多晶硅的硅衬底抛光缺陷的多晶硅沉积工艺，其特征在于，所述烘烤流程中，硅晶片烘烤温度为150-215℃，烘烤时间为5-10s。

4.如权利要求所述的一种应用于改善背面长多晶硅的硅衬底抛光缺陷的多晶硅沉积工艺，其特征在于，所述贴片流程中，已烘烤的硅晶片需贴在已加热的洁净的陶瓷或碳化硅载具上，陶瓷或碳化硅载具需加热至110-160℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：还胜钦，陸基益，王尚森，蔡雪良，李汉生，
申请(专利权)人：昆山中辰矽晶有限公司，
类型：发明
国别省市：