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本发明公开了化学机械平面化(CMP)抛光组合物、方法及系统，其提供二氧化硅和氮化硅的高的且接近相等的去除速率，以实现具有低缺陷的经形貌校正的晶片表面。CMP抛光组合物使用由于低表面硅烷醇密度(<4SiOH/nm2)而具有低比表面积(&...
该专利属于弗萨姆材料美国有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗萨姆材料美国有限责任公司授权不得商用。

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