【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本公开涉及用于在半导体器件的生产中进行化学机械平面化的化学机械平面化或抛光(“cmp”)浆料(或组合物或制剂)、抛光方法和抛光系统。
2、化学机械平面化(cmp)抛光是集成电路制造中的关键工艺步骤，尤其是为了回收所选材料使结构平面化的目的而抛光表面。随着集成电路器件技术的进步，以新的和不同的方式使用cmp抛光以满足先进集成电路所需的新性能。
3、氧化硅和氮化硅是用于制造微电子器件的重要材料。它们以各种组合使用来实现新的和更复杂的器件配置。通常，结构复杂性和性能特性在不同的应用之间变化。因此，必须调整cmp抛光工艺以满足对于特定器件的抛光要求。
4、例如，在典型的浅沟槽隔离(sti)工艺中，已经开发了对二氧化硅或氮化硅的去除具有选择性的cmp抛光组合物。
5、对二氧化硅具有选择性的抛光组合物以与氮化硅相比更大的速率去除二氧化硅，且当基本上移除上覆二氧化硅以将下层氮化硅暴露于抛光组合物时，总体材料去除速率下降，从而允许氮化硅充当停止层。通常，一旦去除上覆二氧化硅，则使用相对于二...
【技术保护点】
1.一种CMP抛光组合物，其包含：
2.如权利要求1所述的CMP抛光组合物，其中所述二氧化硅颗粒是非球形的。
3.如权利要求1所述的CMP抛光组合物，其中所述二氧化硅颗粒是未表面改性的。
4.如权利要求1所述的CMP抛光组合物，其中所述溶剂选自去离子(DI)水、蒸馏水及醇类有机溶剂。
5.如权利要求1所述的CMP抛光组合物，其中所述pH调节剂选自氨基酸，其选自L-谷氨酸、L-组氨酸、丙氨酸、甘氨酸、半胱氨酸、胱氨酸、天冬氨酸、缬氨酸和丝氨酸；无机酸，其选自硝酸、硫酸、盐酸和磷酸；无机碱，其选自氢氧化铵、氢氧化钠、氢氧化钾...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种cmp抛光组合物，其包含：
2.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，其中所述二氧化硅颗粒是非球形的。
3.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，其中所述二氧化硅颗粒是未表面改性的。
4.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，其中所述溶剂选自去离子(di)水、蒸馏水及醇类有机溶剂。
5.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，其中所述ph调节剂选自氨基酸，其选自l-谷氨酸、l-组氨酸、丙氨酸、甘氨酸、半胱氨酸、胱氨酸、天冬氨酸、缬氨酸和丝氨酸；无机酸，其选自硝酸、硫酸、盐酸和磷酸；无机碱，其选自氢氧化铵、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化铯和四甲基氢氧化铵。
6.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，其中所述ph调节剂选自l-谷氨酸、l-组氨酸、丙氨酸、丝氨酸、硫酸、硝酸和氢氧化铵。
7.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，其中所述化学添加剂包含二膦酸。
8.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，其中所述化学添加剂选自依替膦酸(1-羟基乙烷-1,1-二膦酸)、亚甲基二膦酸、次氮基三(亚甲基三膦酸)、苯基膦酸、辛基膦酸、丁基膦酸、(氨基甲基)膦酸、二异辛基次膦酸、亚氨基二(甲基膦酸)和3-膦酰基丙酸。
9.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，其中所述化学添加剂为依替膦酸(1-羟基乙烷-1,1-二膦酸)。
10.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，其中所述组合物还包含0.0001重量％-0.05重量％；优选地0.0005重量％-0.025重量％，更优选地0.001重量％-0.01重量％的具有5-氯-2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮和2-甲基-4-异噻唑啉-3-酮活性成分的所述杀生物剂。
11.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，其中所述组合物还包含0重量％-1重量％；优选地0.01重量％-0.5重量％；更优选地0.1重量％-0.25重量％的所述ph调节剂，其对于酸性ph条件，选自硝酸、盐酸、硫酸、磷酸、其他无机或有机酸及其混合物；或对于碱性ph条件，选自氢化钠、氢氧化钾、氢氧化铵、四烷基氢氧化铵、有机氢氧化季铵化合物、有机胺及其组合。
12.如权利要求1所述的cmp抛光组合物，所述cmp组合物包含硅烷醇密度<0.5sioh/nm2或ssa<150m2/gm的二氧化硅颗粒...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·格拉哈姆，周鸿君，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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