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本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域，半导体器件包括：半导体衬底；外延叠层，外延叠层包括在半导体衬底的表面上依次层叠的第一外延层、第二外延层和第三外延层；第一外延层与第三外延层和半导体衬底的掺杂类型相同，第二外延层...
该专利属于湖北九峰山实验室所有，仅供学习研究参考，未经过湖北九峰山实验室授权不得商用。

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