一种半导体器件及其制作方法技术

本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体器件技术领域，半导体器件包括：半导体衬底；外延叠层，外延叠层包括在半导体衬底的表面上依次层叠的第一外延层、第二外延层和第三外延层；第一外延层与第三外延层和半导体衬底的掺杂类型相同，第二外延层与半导体衬底的掺杂类型不同；第三外延层背离半导体衬底的一侧表面内设置有阱区、源区以及沟槽栅极；设置在第二外延层内的多个第一掺杂区，第一掺杂区与第二外延层的掺杂类型不同；在第一方向上，各个第一掺杂区均与沟槽栅极具有重叠部分；第一方向垂直于半导体衬底所在平面；多个第二掺杂区，第二掺杂区从源区向下延伸至第二外延层，第二掺杂区与第二外延层的掺杂类型相同。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法。

技术介绍

1、近年来，宽禁带（如sic和gan等）以及禁带宽度更大的超宽禁带半导体材料（如氧化镓、金刚石、氮化铝等），因出色的材料特性，受到产业界广泛的关注。

2、相比传统si材料，在禁带宽度、临界击穿电场强度、电子饱和漂移速度等物理特性上，宽禁带以及超宽禁带半导体材料更有优势，基于宽禁带或超宽禁带半导体材料所制备的功率器件（如二极管和晶体管等）具有更优异的电学特性，能够适用硅基器件无法满足的高功率、高压、高频、高温等应用要求，也是超越摩尔定律的突破路径之一。因此宽禁带以及超宽禁带半导体材料被广泛应用于新能源领域（如光伏、储能、充电桩、电动汽车等），推动了“新能源革命”的发展。

3、相对于采用传统si材料的半导体器件，虽然采用宽禁带或超宽禁带半导体材料的半导体器件性能更优，但是在电流分布的调制性能上仍然有待改善。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，以实现提升半导体器件中电流分布的调制性能目本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三外延层内还设置有第三掺杂区；

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第三外延层内还设置有第四掺杂区和第五掺杂区中的至少一者；

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述源区位于所述阱区内，且所述源区小于所述阱区的注入深度；

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述源区位于所述阱区内，且所述源区小于所述阱区的注入深度；

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第四掺杂区通过所述沟槽栅极的一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第三外延层内还设置有第三掺杂区；

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第三外延层内还设置有第四掺杂区和第五掺杂区中的至少一者；

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述源区位于所述阱区内，且所述源区小于所述阱区的注入深度；

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述源区位于所述阱区内，且所述源区小于所述阱区的注入深度；

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第四掺杂区通过所述沟槽栅极的一个侧壁与所述源区连接。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第四掺杂区通过所述沟槽栅极的相对两个侧壁与所述源区连接。

8.根据权利要求3-7任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第三外延层的表面内具有多个在第二方向上依次排布的所述沟槽栅极，所述沟槽栅极沿第三方向延伸；所述第二方向和所述第三方向正交，且均平行于所述半导体衬底所在平面；

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，各个所述沟槽栅极相对的所述第三外延层内均设置有多个连接掺杂区，所述连接掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁俊，
申请(专利权)人：湖北九峰山实验室，
类型：发明
国别省市：