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提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一氧化物的第一晶体管；包括第二氧化物的第二晶体管；以及第三氧化物。第一氧化物包括第一晶体管的沟道形成区域。第二氧化物包括第二晶体管的沟道形成区域。第三氧化物包含与第一氧化...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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