半导体装置制造方法及图纸

提供一种可以实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：包括第一氧化物的第一晶体管；包括第二氧化物的第二晶体管；以及第三氧化物。第一氧化物包括第一晶体管的沟道形成区域。第二氧化物包括第二晶体管的沟道形成区域。第三氧化物包含与第一氧化物及第二氧化物相同的材料。第三氧化物与第一氧化物和第二氧化物分离。在俯视时，第三氧化物位于第一氧化物与第二氧化物之间。第三氧化物配置在与第一氧化物及第二氧化物相同的层中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置、显示装置及电子设备。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法及显示装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置、存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等有时包括半导体装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述。本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition ofmatter)。

技术介绍

1、近年来，已对半导体装置进行开发，lsi、cpu、存储器等主要用于半导体装置。cpu是包括将半导体晶片加工来形成芯片而成的半导体集成电路(至少包括晶体管及存储器)且形成有作为连接端本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.一种包括电路的半导体装置，

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

5.一种包括电路的半导体装置，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

7.根据权利要求3至6中任一项所述的半导体装置，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

3.一种包括电路的半导体装置，

4.根据权利要求3所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，国武宽司，方堂凉太，大贯达也，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：