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本发明属于半导体晶体加工技术领域，具体涉及一种等离子体辅助抛光氮化镓单晶衬底的加工方法。所述方法中氮化镓单晶衬底依次经过研磨、精磨、等离子体清洗、等离子体辅助抛光技术，极大地提高GaN的加工效率，还不会产生亚表面损伤；其在原子尺度具有很好的...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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