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本发明是有关于一种栅极轮廓的进阶工艺控制方法与制造集成电路元件的系统，该进阶工艺控制方法，用以制造一半导体元件，以改善其效能。此方法可包含提供一基材；进行多个工艺，以在前述基材上形成一栅极堆，其中前述栅极堆包括一栅极层；在前述工艺的至少之一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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