温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种磁存储结构，涉及存储技术领域，该磁存储结构中的记录层包括至少两层高垂直磁性各向异性记录层，以及位于相邻两个高垂直磁性各向异性记录层之间的低垂直磁性各向异性记录层，当存储结构写入数据时，向第一字线施加第一电流，并向第一位线施加...
该专利属于杭州安顺爆破工程有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州安顺爆破工程有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。