一种磁存储结构制造技术

本发明专利技术提供了一种磁存储结构，涉及存储技术领域，该磁存储结构中的记录层包括至少两层高垂直磁性各向异性记录层，以及位于相邻两个高垂直磁性各向异性记录层之间的低垂直磁性各向异性记录层，当存储结构写入数据时，向第一字线施加第一电流，并向第一位线施加第二电流，产生第一方向上的自旋转移矩，该自旋转移矩改变高垂直磁性各向异性记录层与低垂直磁性各向异性记录层中的磁化状态，以使高垂直磁性各向异性记录层中的磁畴存储数据，低垂直磁性各向异性记录层中的磁畴壁分割开写入的不同数据，由于采用自旋转移矩存储数据，所以存储速度快，由于磁存储结构的数据存储数量与高垂直磁性各向异性记录层的层数相同，所以存储容量更大。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储，更具体地说，涉及一种磁存储结构。

技术介绍

1、在当前万物互联的时代背景下，对于高速、高密度且成本效益高的非易失性存储结构的需求日益迫切。存储
中存储速度的提升往往伴随着成本的增加，现有解决方案中结合“高速小容量”和“低速大容量”存储架构已被广泛采纳，在这种架构中，主存储器通常采用动态随机存取存储器（dynamic random access memory，简称dram），它进行临时存储程序和数据，以供cpu读取并执行计算。

2、目前，dram的空间堆叠技术尚未成熟，其存储容量受限于芯片面积，最大约为50gb/cm2，这限制了其在存储大量数据方面的能力。此外，由于dram的易失性特性，数据需要传输到次级存储介质，如固态硬盘（solid state disk，简称ssd）或3d-nand闪存，以实现长期存储。主存储器dram的处理速度大约在100纳秒级别，而次级存储介质如闪存的处理速度则在100微秒级别，两者之间存在高达三个数量级的速度差距。这一显著的速度差异成为了计算机存储性能的关键瓶颈。

<p>3、因此，如何获本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁存储结构，其特征在于，所述磁存储结构包括：

2.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述高垂直磁性各向异性记录层为单层结构或多层结构；

3.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述低垂直磁性各向异性记录层为单层结构或多层结构；

4.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述高垂直磁性各向异性记录层的厚度取值范围为1nm-100nm。

5.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述低垂直磁性各向异性记录层的厚度取值范围为1nm-100nm。

6.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种磁存储结构，其特征在于，所述磁存储结构包括：

2.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述高垂直磁性各向异性记录层为单层结构或多层结构；

3.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述低垂直磁性各向异性记录层为单层结构或多层结构；

4.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述高垂直磁性各向异性记录层的厚度取值范围为1nm-100nm。

5.根据权利要求1所述的磁存储结构，其特征在于，所述低垂直磁性各向异性记录层的厚度取值范围为1n...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘达，周平，郑烨，张扬，霍振华，杨雨佳，
申请(专利权)人：杭州安顺爆破工程有限公司，
类型：发明
国别省市：