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提供了一种用于在SiC半导体材料中制造栅格结构的方法，包括以下步骤：提供包括掺杂半导体SiC材料的衬底，所述衬底包括第一导电类型的第一层(n1)，通过在所述第一层(n1)上外延生长至少一种掺杂半导体SiC材料，来形成与第一导电类型相反的第二...
该专利属于阿斯卡顿公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿斯卡顿公司授权不得商用。

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