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本发明公开了通过反应蒸发进行的原位薄膜的生长。一种在衬底上原位形成ＭｇＢ２膜的方法包括以下步骤：（ａ）在淀积区中将硼淀积到衬底的表面上；（ｂ）将衬底移动到包含加压的气态镁的反应区中；（ｃ）将衬底移回到淀积区中；和（ｄ）重复步骤（ａ）～（ｃ）...
该专利属于超导技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过超导技术公司授权不得商用。

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