通过反应蒸发进行的原位薄膜的生长制造技术

本发明专利技术公开了通过反应蒸发进行的原位薄膜的生长。一种在衬底上原位形成ＭｇＢ２膜的方法包括以下步骤：（ａ）在淀积区中将硼淀积到衬底的表面上；（ｂ）将衬底移动到包含加压的气态镁的反应区中；（ｃ）将衬底移回到淀积区中；和（ｄ）重复步骤（ａ）～（ｃ）。在本发明专利技术的优选实施例中，通过使用可旋转滚筒将衬底移入和移出淀积区和反应区。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的领域一般涉及用于制造薄膜的方法。更具体地，本专利技术的领域涉及原位 形成不需要高温退火的诸如超导MgB2的膜的方法。
技术介绍
二硼化镁(MgB2)是超导转变温度(T。)为约39K的超导材料。人们在用MgB2形成 超导导线、条带和膜方面存在很大的兴趣。超导导线例如可被用于超导磁体、故障电流限制 器和电力传输。膜可被用于制造Jos印hson结、SQUIDS (超导量子干涉器件)、微电子互连、 RSFQ(快速单通量量子)器件和其它器件。膜还可被加入谐振器、滤波器和延迟线等的形式 的RF和微波器件。 关于膜应用，为了实现电子应用所需的多层技术，需要生长完全原位MgBj莫。淀积 MgB2膜的主要困难在于，MgB2相在高温下的热力学稳定需要非常高的Mg蒸汽压。与MgB2 膜形成有关的第二个问题是Mg对氧化的高敏感性。这两个方面使得难以用常规的物理汽 相淀积(PVD)技术生长MgBj莫。 已通过在生长室内将Mg-B或Mg-MgB2混合物原位退火制造原位MgB2膜。但是，由 这种技术制造的膜表现出较低的Tc和较差的结晶性。另外还在低温(< 350°C )下制造了 原位MgB2膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于在衬底上制备薄膜的装置，其包括：　　　　真空室；　　　　在真空室内的设置用以支撑一个或多个衬底的可旋转滚筒，设置该滚筒以便在将所述一个或多个衬底固定在该滚筒上时提供所述一个或多个衬底的暴露的下侧；　　　　设置在真空室内的壳体，该壳体具有设置于其中的加热元件，该壳体包括上部分和下部分，设置所述上部分用以封闭滚筒的上表面，设置所述下部分用以局部封闭滚筒的下侧表面，所述局部封闭的部分形成反应区；　　　　被加热的蒸发单元，该蒸发单元在操作上与壳体的下部分耦合并且设置用以向反应区提供含可忽略不计量氧的加压金属反应物；和　　　　淀积区，该淀积区设置在真空室中并且与反应区隔离，设置该淀积区以便在所述...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：BH默克里，WS鲁比，
申请(专利权)人：超导技术公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]