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本发明涉及一种具有伊辛自旋层的半导体激光元件。该半导体激光元件由下至上依次相连的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述上波导层和电子阻挡层之间以及下波导层和下限制层之间均...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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