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本发明公开了一种半导体用选择性电化学硅蚀刻液及蚀刻方法，选择性电化学硅蚀刻液包含1‑8%的氢氟酸，1‑10%的导电化合物，0.01%‑2%的表面活性剂，以及余量的超纯水。电化学蚀刻时将待选择性蚀刻的同时含有n‑Si和p‑Si的晶圆片作为电化...
该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。

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