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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种超晶格双色红外光电探测器，所述超晶格双色红外光电探测器，包括：衬底，缓冲层，下吸收层，势垒层，上吸收层以及上欧姆接触层，其中，所述势垒层、所述上吸收层以及所述上欧姆接触层上刻蚀有台面，用于形成像元隔离，...
该专利属于中国电子科技集团公司第十一研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十一研究所授权不得商用。

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