一种超晶格双色红外光电探测器及制作方法技术

技术编号:42008061 阅读:23 留言:0更新日期:2024-07-12 12:28
本发明专利技术涉及半导体技术领域,尤其涉及一种超晶格双色红外光电探测器,所述超晶格双色红外光电探测器,包括:衬底,缓冲层,下吸收层,势垒层,上吸收层以及上欧姆接触层,其中,所述势垒层、所述上吸收层以及所述上欧姆接触层上刻蚀有台面,用于形成像元隔离,其中,在所述成像元隔离的成像元隔离槽中注有离子,用于降低成像元间的串扰,应用本说明书实施例提供的超晶格双色红外光电探测器,有利于降低器件像元隔离槽的刻蚀深度,提高器件占空比,提升器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种超晶格双色红外光电探测器。


技术介绍

1、红外焦平面探测技术具有高可靠性、反应速度快、被动探测等优势,广泛应用于安防监控、车辆夜视、自然资源调查以及天文气象观测等领域。相比于单色红外探测器只能在一个波段范围内对目标进行探测,获取的信息有限,双色红外探测器能够探测两个波段,获取的目标信息更加丰富,可以提高器件的探测能力。

2、超晶格材料(inas/gasb/alsb等)可以通过调节材料组分和周期厚度来改变带隙,其工作波段能覆盖从短波到甚长波的红外波段,是近年发展迅速的红外焦平面探测器材料。超晶格材料的制备成本相对较低,材料性质稳定不易产生工艺损伤,大面积均匀性较好,在双色材料制备方面具有一定优势,具有较大的发展前景。

3、传统对于红外探测器的设计中,由于隔离槽深度在7μm-10μm左右,因此制备工艺难度大;且由于隔离槽内载流子容易向相邻像元扩散,因此会对器件造成干扰,不利于探测性能的提升。

4、有鉴于此,如何提供一种工艺简单、器件占空比高、探测器性能高,且像元间串扰低的红外探测器,成为亟需本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超晶格双色红外光电探测器,其特征在于,所述超晶格双色红外光电探测器,包括:衬底,缓冲层,下吸收层,势垒层,上吸收层以及上欧姆接触层,其中,

2.根据权利要求1所述的一种超晶格双色红外光电探测器,其特征在于,所述势垒层、所述上吸收层以及所述上欧姆接触层上刻蚀的所述台面,构成成像元隔离槽,其中,所述成像元隔离槽的深度为4μm-6μm。

3.根据权利要求1所述的一种超晶格双色红外光电探测器,其特征在于,所述台面侧壁上,覆有钝化层,其中,所述钝化层用于保护所述台面。

4.根据权利要求1所述的一种超晶格双色红外光电探测器,其特征在于,所述超晶格双色红外光...

【技术特征摘要】

1.一种超晶格双色红外光电探测器,其特征在于,所述超晶格双色红外光电探测器,包括:衬底,缓冲层,下吸收层,势垒层,上吸收层以及上欧姆接触层,其中,

2.根据权利要求1所述的一种超晶格双色红外光电探测器,其特征在于,所述势垒层、所述上吸收层以及所述上欧姆接触层上刻蚀的所述台面,构成成像元隔离槽,其中,所述成像元隔离槽的深度为4μm-6μm。

3.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵成城胡雨农刘铭游聪娅
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十一研究所
类型:发明
国别省市:

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