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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于高性能电光调制器的复合薄膜及其制备方法，通过本发明制备方法可以制备出用于高性能电光调制器的复合薄膜，复合薄膜依次包括单晶薄膜层、隔离层、缺陷层和衬底层。通过本发明能够制备出具有缺陷层以及高厚7～25...
该专利属于济南晶正电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南晶正电子科技有限公司授权不得商用。

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