【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种用于高性能电光调制器的复合薄膜及其制备方法。
技术介绍
1、电光调制器是一种能够通过外部电场调控光的传输性质的设备。铌酸锂、钽酸锂、磷酸钛氧钾和磷酸钛氧铷都是常见的电光调制器材料。电光调制器广泛用于光通信、光传感等领域，其性能取决于材料的特性和制备工艺。随着对于通信容量和通信速率的需求日益提升，新一代电光调制器必须同时满足小尺寸、大带宽、低功耗和高集成密度的要求。
2、目前普遍使用行波电极结构的电光调制器，但其仍然面临一些挑战，包括微波损耗、速度失配引起的电光相互作用终止，以及传输线与外部电路之间阻抗失配导致的回波损耗增加。
3、例如石英衬底的铌酸锂单晶薄膜在实际应用过程中存在难以与其他硅基光子功能器件实现片上集成、散热性能差以及单晶石英成本高等问题。因此，采用更大厚度隔离层的硅衬底复合薄膜是更理想的选择，但厚隔离层制备困难，生产周期长，难以采用常规层叠制备方式制备。制备具有缺陷层，厚度超过2微米隔离层的四层符合薄膜需要的衬底需要非常长的时间，采用常规的层叠制备的方式制备制备具有...
【技术保护点】
1.一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述隔离层采用热氧化的方式或者热氧化与PECVD结合的方式制备。
3.根据权利要求1所述的一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述在隔离层上制备单晶薄膜层得到复合薄膜的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述隔离层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的...
【技术特征摘要】
1.一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述隔离层采用热氧化的方式或者热氧化与pecvd结合的方式制备。
3.根据权利要求1所述的一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述在隔离层上制备单晶薄膜层得到复合薄膜的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述隔离层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述隔离层厚度为7～25μm。
6.根据权利要求1所述的一种用于高性能电光调制器的复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述缺陷层的材料为多晶硅、多晶锗或非晶硅。
7.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：王金翠，陈明珠，董玉爽，李慧青，殷菲菲，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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