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本发明公开了一种深源沟槽式4H‑SiC MOSFET器件，属于半导体技术领域。所述器件包括漏极金属层及其上方的N+型衬底、N型漂移区、N+型源区、P型基区、P+型源区、P型柱体、源沟槽、P+型屏蔽区、源极金属层、隔离层、栅氧化层以及多晶硅栅...
该专利属于江苏东海半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏东海半导体股份有限公司授权不得商用。

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