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本发明公开一种延伸漏极型金属氧化物半导体晶体管及其制作方法，其中该延伸漏极型金属氧化物半导体晶体管包含一基底，一栅极设置于基底上，一源极掺杂区设置于栅极一侧的基底中，一漏极掺杂区设置于栅极另一侧的基底中，一薄栅极介电层设置于栅极下方，一厚栅...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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