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本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中该半导体结构包括第一元件结构、第二元件结构、第一基底穿孔结构与第二基底穿孔结构。第一元件结构包括第一基底、第一介电结构、第一着陆垫与第一顶盖层。第二元件结构设置在第一元件结构上。第二元件结构包括第二...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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